收藏本站
New Product
SiR826DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
60
V GS = 10 V thru 4 V
10
8
6
40
4
T C = 25 °C
20
V GS = 3 V
2
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.008
0.007
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
5400
4320
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.006
0.005
V GS = 4.5 V
3240
2160
C iss
C oss
V GS = 7.5 V
0.004
V GS = 10 V
1080
0.003
0
C rss
0
20
40
60
80
100
0
16
32
48
64
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.1
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 30 V
1.8
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 40 V
V DS = 50 V
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 67196
S10-2761-Rev. A, 29-Nov-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIR844DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SIR846ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 60A SO8
SIR850DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC
SIR862DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SIR878ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK
SIR878DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
SIR888DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC
SIR890DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SIR836DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SIR836DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR838DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 35A 96W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR840DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR841500 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm
SIR842500 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm
SIR844DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR846ADP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET